NXP открывает в США Центр разработки высокоэффективной радиочастотной продукции

Ключевые факты и подробности:

• В новом инженерно–конструкторском Центре будут применяться и совершенствоваться уникальная интеллектуальная собственность, продуктовое портфолио, технологическая  база и производственные возможности компании NXP, что позволит компании еще больше упрочить  свои позиции на растущем рынке радиочастотной и СВЧ-продукции.
• Открытие Центра на восточном побережье США в относительной близости к аналогичным проектным центрам компании во Франции и Нидерландах создаст дополнительные возможности по обеспечению технической и консультационной поддержкой  клиентов NXP в Южной и Северной Америке.
• Продуктовый портфель высокочастотных решений (RF) компании NXP занимает уникальное положение на рынке благодаря широкому спектру технологических процессов собственной разработки. Богатый ассортимент радиочастотной продукции компании простирается от мощных LDMOS-транзисторов, применяемых в усилителях мощности до новейших технологических разработок в области технологий БиКМОП на основе кремний-германия с добавлением углерода (SiGe:C BiCMOS), применяемых в составе монолитных интегральных микросхем СВЧ-диапазона с регулировкой по частоте. Замыкают же линейку радиочастотных устройств компании передовые КМОП-разработки для быстродействующих аналого-цифровых преобразователей. Все эти технологические решения разрабатываются и производятся внутри компании, поэтому они создаются под конкретные нужды определенных приложений. 
• NXP на протяжении нескольких лет занимает позиции одного из лидеров отрасли в области разработки компактных моделей, поэтому все технологические решения для рынка радиочастотных устройств подкрепляются соответствующими полностью охарактеризованными RF-моделями. Подобные схемы внутрифирменной реализации технологических разработок помогают международным проектным группам компании поддерживать лидирующие позиции в области внедрения инноваций и разработки продуктов и решений для выполнения самых неотложных задач из тех, что стоят в наши дни перед ведущими игроками рынка радиочастотных устройств.

Опорные цитаты:

• «Новый Центр разработки продукции будет использовать богатый 50-летний опыт внедрения, оптимизации и локализации новаторских решений в области разработки радиочастотной продукции, направленной на расширение возможностей компании по удовлетворению запросов своих клиентов и созданию новых уникальных способов применения разрабатываемых ею решений, – говорит Джон Крото, старший вице-президент и генеральный управляющий подразделения компании NXP Semiconductors по разработке радиочастотных и осветительных систем. – Технологический процесс, компоновка элементов и внедрение инновационных методов разработки микросхем остаются "тремя китами" нашей стратегии, позволяющими нам занимать лидирующие позиции в области создания высокотехнологичных решений, таких как кремний-германиевые полупроводниковые элементы с внедрением атомов углерода (SiGe:C), металло-оксидные полупроводниковые элементы с поверхностной диффузией (LDMOS) и цифровые интерфейсы преобразования данных стандарта JESD204A."
• «Высокопрофессиональный коллектив опытных и талантливых разработчиков радиочастотных устройств, наличие активной клиентской базы и относительная близость к Европе – вот что делает Бостон идеальным местом расположения нового Центра разработки продукции NXP, – говорит Иэн Грешэм, генеральный управляющий бостонского Центра разработки продукции компании NXP Semiconductors. – Команда нового центра готова приложить все усилия, чтобы расширить пределы эффективности нашей деятельности по производству продукции радио- и СВЧ-диапазонов и преодолеть рыночные трудности путем внедрения инноваций».